P-Channel MOSFET, 3 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SQ2315ES-T1_GE3

RS tilauskoodi: 819-3901Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SQ2315ES-T1_GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

3 A

Maximum Drain Source Voltage

12 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

92 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.45V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.4 nC @ 4.5 V

Series

SQ Rugged

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.02mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,558

1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,692

1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 3 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SQ2315ES-T1_GE3
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,558

1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,692

1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 3 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SQ2315ES-T1_GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
20 - 180€ 0,558€ 11,16
200 - 480€ 0,447€ 8,94
500 - 980€ 0,363€ 7,26
1000 - 1980€ 0,28€ 5,60
2000+€ 0,224€ 4,48

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

3 A

Maximum Drain Source Voltage

12 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

92 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.45V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Width

1.4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

3.04mm

Typical Gate Charge @ Vgs

8.4 nC @ 4.5 V

Series

SQ Rugged

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.02mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja