N-Channel MOSFET, 4.3 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SQ2362ES-T1_GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
TrenchFET
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.075 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Number of Elements per Chip
1
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,182
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,228
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 0,182
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,228
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
TrenchFET
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.075 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Number of Elements per Chip
1
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.