N-Channel MOSFET, 4.3 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SQ2362ES-T1_GE3

RS tilauskoodi: 180-8108Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SQ2362ES-T1_GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4.3 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.075 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Number of Elements per Chip

1

Series

TrenchFET

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,185

1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,229

1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 4.3 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SQ2362ES-T1_GE3
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,185

1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,229

1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 4.3 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SQ2362ES-T1_GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

4.3 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.075 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Number of Elements per Chip

1

Series

TrenchFET

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja