Vishay SQ Rugged N-Channel MOSFET, 40 A, 60 V, 3-Pin DPAK SQD40N06-14L_GE3

RS tilauskoodi: 787-9484Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SQD40N06-14L_GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

SQ Rugged

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

29 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

75 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

6.22mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

34 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

2.38mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Automotive Standard

AEC-Q101

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, Automotive SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor

The SQ series of MOSFETs from Vishay Semiconductor are designed for all automotive applications requiring ruggedness and high reliability.

Approvals

AEC-Q101

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

€ 2,50

€ 0,501 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 3,14

€ 0,629 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Vishay SQ Rugged N-Channel MOSFET, 40 A, 60 V, 3-Pin DPAK SQD40N06-14L_GE3
Valitse pakkaustyyppi

€ 2,50

€ 0,501 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 3,14

€ 0,629 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Vishay SQ Rugged N-Channel MOSFET, 40 A, 60 V, 3-Pin DPAK SQD40N06-14L_GE3

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

40 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

SQ Rugged

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

29 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

75 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

6.22mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

34 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

2.38mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Automotive Standard

AEC-Q101

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, Automotive SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor

The SQ series of MOSFETs from Vishay Semiconductor are designed for all automotive applications requiring ruggedness and high reliability.

Approvals

AEC-Q101

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja