P-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin DPAK Vishay SUD50P06-15-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-252AA
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
-3V
Minimum Gate Threshold Voltage
-1V
Maximum Power Dissipation
113 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.22mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.38mm
Forward Diode Voltage
-1.6V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 2,85
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 3,534
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
€ 2,85
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 3,534
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,85 | € 14,25 |
| 50 - 120 | € 2,60 | € 13,00 |
| 125 - 245 | € 2,45 | € 12,25 |
| 250 - 495 | € 2,15 | € 10,75 |
| 500+ | € 2,00 | € 10,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-252AA
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
-3V
Minimum Gate Threshold Voltage
-1V
Maximum Power Dissipation
113 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.22mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
2.38mm
Forward Diode Voltage
-1.6V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.