Vishay P-Channel MOSFET, 110 A, 60 V, 3-Pin D2PAK SUM110P06-08L-E3

RS tilauskoodi: 710-5014PTuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SUM110P06-08L-E3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

110 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

3.75 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

160 nC @ 10 V

Width

9.65mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.41mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

4.83mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

Taiwan, Province Of China

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 81,25

€ 3,25 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 101,97

€ 4,079 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Vishay P-Channel MOSFET, 110 A, 60 V, 3-Pin D2PAK SUM110P06-08L-E3
Valitse pakkaustyyppi

€ 81,25

€ 3,25 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 101,97

€ 4,079 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Vishay P-Channel MOSFET, 110 A, 60 V, 3-Pin D2PAK SUM110P06-08L-E3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Kela
25 - 45€ 3,25€ 16,25
50 - 120€ 3,05€ 15,25
125 - 245€ 2,85€ 14,25
250+€ 2,30€ 11,50

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

110 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

3.75 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

160 nC @ 10 V

Width

9.65mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.41mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

4.83mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

Taiwan, Province Of China

Tuotetiedot

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja