N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB Vishay SUP50020E-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.65mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
126 nC @ 10 V
Length
10.51mm
Height
15.49mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 3,25
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 4,03
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
2
€ 3,25
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 4,03
1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
2
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 3,25 | € 6,50 |
| 20 - 98 | € 3,05 | € 6,10 |
| 100 - 198 | € 2,75 | € 5,50 |
| 200 - 498 | € 2,60 | € 5,20 |
| 500+ | € 2,45 | € 4,90 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.65mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
126 nC @ 10 V
Length
10.51mm
Height
15.49mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.