Vishay N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB SUP70040E-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.51mm
Typical Gate Charge @ Vgs
76 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
15.49mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Alkuperämaa
Taiwan, Province Of China
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 18,75
€ 3,75 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 23,53
€ 4,706 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
€ 18,75
€ 3,75 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 23,53
€ 4,706 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 3,75 | € 18,75 |
| 50 - 120 | € 2,75 | € 13,75 |
| 125 - 245 | € 2,50 | € 12,50 |
| 250 - 495 | € 2,25 | € 11,25 |
| 500+ | € 2,05 | € 10,25 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.65mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.51mm
Typical Gate Charge @ Vgs
76 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
15.49mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Alkuperämaa
Taiwan, Province Of China
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.