Vishay 50V 4A, Schottky Diode, 2-Pin DO-221BC V4PAN50-M3/I

RS tilauskoodi: 830-6218PTuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: V4PAN50-M3/I
brand-logo
Näytä kaikki Schottky Diodes & Rectifiers tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

DO-221BC

Maximum Continuous Forward Current

4A

Peak Reverse Repetitive Voltage

50V

Diode Configuration

Single

Rectifier Type

Schottky Rectifier

Diode Type

Schottky

Pin Count

2

Maximum Forward Voltage Drop

590mV

Number of Elements per Chip

1

Diode Technology

Schottky Barrier

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current

80A

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

TMBS - Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers, Up to 20A, Vishay Semiconductor

The Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) Rectifier Series by Vishay contain a patented trench structure. TMBS rectifiers offer several advantages over planar Schottky rectifiers. At operating voltages of 45V and above planar Schottky rectifiers can lose their advantage of fast switching speeds and low forward drop to a significant degree. The patented TMBS structure addresses these issues by diminishing minority carrier injections to the drift region, therefore minimising stored charges and improving switching speeds.

Schottky Rectifiers, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,161

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,20

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Vishay 50V 4A, Schottky Diode, 2-Pin DO-221BC V4PAN50-M3/I
Valitse pakkaustyyppi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 40.

Tuotanto -

Pakkauskoko 40.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

40

Pakkauskoko 40
40€ 6,44
80€ 12,88
120€ 19,32
160€ 25,76
200€ 32,20
240€ 38,64
280€ 45,08
320€ 51,52
360€ 57,96
400€ 64,40
440€ 70,84
480€ 77,28
520€ 83,72
560€ 90,16
600€ 96,60

€ 0,161

kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 0,20

kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Vishay 50V 4A, Schottky Diode, 2-Pin DO-221BC V4PAN50-M3/I
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 40.

Tuotanto -

Pakkauskoko 40.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

40

Pakkauskoko 40
40€ 6,44
80€ 12,88
120€ 19,32
160€ 25,76
200€ 32,20
240€ 38,64
280€ 45,08
320€ 51,52
360€ 57,96
400€ 64,40
440€ 70,84
480€ 77,28
520€ 83,72
560€ 90,16
600€ 96,60

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

DO-221BC

Maximum Continuous Forward Current

4A

Peak Reverse Repetitive Voltage

50V

Diode Configuration

Single

Rectifier Type

Schottky Rectifier

Diode Type

Schottky

Pin Count

2

Maximum Forward Voltage Drop

590mV

Number of Elements per Chip

1

Diode Technology

Schottky Barrier

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current

80A

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

TMBS - Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers, Up to 20A, Vishay Semiconductor

The Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) Rectifier Series by Vishay contain a patented trench structure. TMBS rectifiers offer several advantages over planar Schottky rectifiers. At operating voltages of 45V and above planar Schottky rectifiers can lose their advantage of fast switching speeds and low forward drop to a significant degree. The patented TMBS structure addresses these issues by diminishing minority carrier injections to the drift region, therefore minimising stored charges and improving switching speeds.

Schottky Rectifiers, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja