Vishay 600V 30A, Silicon Junction Diode, 3-Pin D2PAK VS-ETH3006-M3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayMounting Type
Through Hole
Package Type
D2PAK
Maximum Continuous Forward Current
30A
Peak Reverse Repetitive Voltage
600V
Diode Configuration
Single
Rectifier Type
Fast Recovery
Diode Type
Silicon Junction
Pin Count
3
Maximum Forward Voltage Drop
2.65V
Number of Elements per Chip
1
Peak Reverse Recovery Time
70ns
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
180A
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Hintaa ei saatavilla
1
Hintaa ei saatavilla
1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayMounting Type
Through Hole
Package Type
D2PAK
Maximum Continuous Forward Current
30A
Peak Reverse Repetitive Voltage
600V
Diode Configuration
Single
Rectifier Type
Fast Recovery
Diode Type
Silicon Junction
Pin Count
3
Maximum Forward Voltage Drop
2.65V
Number of Elements per Chip
1
Peak Reverse Recovery Time
70ns
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
180A
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.