SiC N-Channel MOSFET, 40 A, 1700 V, 4-Pin TO-247 Wolfspeed C2M0080170P
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
1700 V
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
277 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, 25 V
Width
5.21mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
SiC
Length
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
120 nC @ 5/20V
Height
23.6mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 39,90
1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 49,476
1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
€ 39,90
1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 49,476
1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)
30
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Drain Source Voltage
1700 V
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
277 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-10 V, 25 V
Width
5.21mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
SiC
Length
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
120 nC @ 5/20V
Height
23.6mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.