SiC N-Channel MOSFET, 5 A, 1700 V, 3-Pin TO-247 Wolfspeed C2M1000170D
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
1700 V
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.4 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
69 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-5 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 20 V, 13 nC @ 5 V
Width
5.21mm
Transistor Material
SiC
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
3.8V
Height
21.1mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 11,80
kpl (ilman ALV)
€ 14,63
kpl (Sis ALV:n)
1
€ 11,80
kpl (ilman ALV)
€ 14,63
kpl (Sis ALV:n)
1
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta |
|---|---|
| 1 - 4 | € 11,80 |
| 5 - 9 | € 11,10 |
| 10 - 29 | € 10,90 |
| 30 - 89 | € 10,60 |
| 90+ | € 10,30 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
1700 V
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.4 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
69 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-5 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13 nC @ 20 V, 13 nC @ 5 V
Width
5.21mm
Transistor Material
SiC
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
3.8V
Height
21.1mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.