SiC N-Channel MOSFET, 35 A, 900 V, 7-Pin D2PAK Wolfspeed C3M0065090J
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance
78 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
113 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+25 V
Width
10.99mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
SiC
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 15 V
Length
10.23mm
Height
4.57mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
4.4V
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 14,00
1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 17,36
1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
€ 14,00
1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 17,36
1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
35 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance
78 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
113 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+25 V
Width
10.99mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
SiC
Typical Gate Charge @ Vgs
30 nC @ 15 V
Length
10.23mm
Height
4.57mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
4.4V
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.