SiC N-Channel MOSFET, 30 A, 1200 V, 7-Pin D2PAK Wolfspeed C3M0075120J

RS tilauskoodi: 192-3511Tuotemerkki: WolfspeedValmistajan osanumero.: C3M0075120J
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Wolfspeed

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Package Type

TO-263-7

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance

75 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.6V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.8V

Maximum Power Dissipation

113.6 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, 19 V

Typical Gate Charge @ Vgs

48 nC @ 4/15V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

SiC

Length

10.23mm

Width

9.12mm

Number of Elements per Chip

1

Height

4.57mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

China

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 16,30

kpl (ilman ALV)

€ 20,21

kpl (Sis ALV:n)

SiC N-Channel MOSFET, 30 A, 1200 V, 7-Pin D2PAK Wolfspeed C3M0075120J

€ 16,30

kpl (ilman ALV)

€ 20,21

kpl (Sis ALV:n)

SiC N-Channel MOSFET, 30 A, 1200 V, 7-Pin D2PAK Wolfspeed C3M0075120J
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Wolfspeed

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Package Type

TO-263-7

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance

75 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.6V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.8V

Maximum Power Dissipation

113.6 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, 19 V

Typical Gate Charge @ Vgs

48 nC @ 4/15V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

SiC

Length

10.23mm

Width

9.12mm

Number of Elements per Chip

1

Height

4.57mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

China