SiC N-Channel MOSFET, 22 A, 900 V, 7-Pin D2PAK Wolfspeed C3M0120090J
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
22 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Package Type
TO-263-7
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
83 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, 18 V
Width
9.12mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
SiC
Length
10.23mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.3 nC @ 4/15V
Height
4.57mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
United States
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 10,40
1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 12,896
1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
€ 10,40
1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 12,896
1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
22 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Package Type
TO-263-7
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
83 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, 18 V
Width
9.12mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
SiC
Length
10.23mm
Typical Gate Charge @ Vgs
17.3 nC @ 4/15V
Height
4.57mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
United States
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.