SiC N-Channel MOSFET, 22 A, 1000 V, 7-Pin D2PAK Wolfspeed C3M0120100J
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
22 A
Maximum Drain Source Voltage
1000 V
Package Type
TO-263-7
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance
170 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
83 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+15 V, +9 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
SiC
Length
10.23mm
Width
9.12mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
21.5 @ 4/+15 V
Series
C3M
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
4.8V
Height
4.32mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 13,50
1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 16,74
1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
€ 13,50
1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 16,74
1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 50 - 100 | € 13,50 | € 675,00 |
| 150 - 200 | € 13,00 | € 650,00 |
| 250+ | € 12,70 | € 635,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
22 A
Maximum Drain Source Voltage
1000 V
Package Type
TO-263-7
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance
170 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
83 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+15 V, +9 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
SiC
Length
10.23mm
Width
9.12mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
21.5 @ 4/+15 V
Series
C3M
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
4.8V
Height
4.32mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.