SiC MOSFET, 1200 V Wolfspeed CAB450M12XM3

RS tilauskoodi: 192-3386Tuotemerkki: WolfspeedValmistajan osanumero.: CAB450M12XM3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Wolfspeed

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Maximum Drain Source Resistance

4.6 mΩ

Maximum Gate Threshold Voltage

3.6V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.8V

Maximum Power Dissipation

50 mW

Maximum Gate Source Voltage

-4 V, 19 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

SiC

Length

80mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1330 nC @ 4/15V

Width

53mm

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Height

15.75mm

Alkuperämaa

United States

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1 150,00

kpl (ilman ALV)

€ 1 443,25

kpl (Sis ALV:n)

SiC MOSFET, 1200 V Wolfspeed CAB450M12XM3

€ 1 150,00

kpl (ilman ALV)

€ 1 443,25

kpl (Sis ALV:n)

SiC MOSFET, 1200 V Wolfspeed CAB450M12XM3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Wolfspeed

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Maximum Drain Source Resistance

4.6 mΩ

Maximum Gate Threshold Voltage

3.6V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.8V

Maximum Power Dissipation

50 mW

Maximum Gate Source Voltage

-4 V, 19 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Transistor Material

SiC

Length

80mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1330 nC @ 4/15V

Width

53mm

Number of Elements per Chip

1

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Height

15.75mm

Alkuperämaa

United States

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja