NPN darlington transistor,BDV65A 12A
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
BournsTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
12 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Package Type
SOT-93
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.4mA
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Hintaa ei saatavilla
1
Hintaa ei saatavilla
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
BournsTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
12 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Package Type
SOT-93
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.4mA
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.