N-Channel MOSFET, 150 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Diodes Inc BS170FTA
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
330 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.05mm
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,719
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,902
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
€ 0,719
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 0,902
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 25 | € 0,719 | € 3,60 |
| 30 - 145 | € 0,481 | € 2,40 |
| 150 - 745 | € 0,362 | € 1,81 |
| 750 - 1495 | € 0,32 | € 1,60 |
| 1500+ | € 0,286 | € 1,43 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
330 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.05mm
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.