Fairchild ISL9V5036S3ST IGBT, 46 A 420 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Fairchild SemiconductorMaximum Continuous Collector Current
46 A
Maximum Collector Emitter Voltage
420 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±14V
Maximum Power Dissipation
250 W
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Channel Type
N
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Dimensions
10.67 x 9.65 x 4.83mm
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Tuotetiedot
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 22,25
€ 4,45 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 27,92
€ 5,585 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
€ 22,25
€ 4,45 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 27,92
€ 5,585 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Standardi
5
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 4,45 | € 22,25 |
| 10 - 95 | € 3,80 | € 19,00 |
| 100 - 245 | € 3,05 | € 15,25 |
| 250 - 495 | € 2,85 | € 14,25 |
| 500+ | € 2,70 | € 13,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Fairchild SemiconductorMaximum Continuous Collector Current
46 A
Maximum Collector Emitter Voltage
420 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±14V
Maximum Power Dissipation
250 W
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Channel Type
N
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Dimensions
10.67 x 9.65 x 4.83mm
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Tuotetiedot
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.