N-Channel MOSFET, 50 A, 80 V, 7-Pin MG-WDSON-2 Infineon BSB104N08NP3GXUSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Series
OptiMOS™
Package Type
MG-WDSON-2
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance
0.0104 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 2 220,00
€ 0,444 1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 786,10
€ 0,557 1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
€ 2 220,00
€ 0,444 1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 786,10
€ 0,557 1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Series
OptiMOS™
Package Type
MG-WDSON-2
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance
0.0104 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.