N-Channel MOSFET, 100 A, 100 V, 8-Pin TDSON Infineon BSC040N10NS5ATMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
OptiMOS™ 5
Package Type
TDSON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
5.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
139 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Width
6.35mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5.49mm
Typical Gate Charge @ Vgs
58 nC @ 10 V
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,10
1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,38
1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
€ 1,10
1 kpl (5000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1,38
1 kpl (5000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
5000
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
OptiMOS™ 5
Package Type
TDSON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
5.6 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
139 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Width
6.35mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5.49mm
Typical Gate Charge @ Vgs
58 nC @ 10 V
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.