Dual SiC Dual N-Channel MOSFET, 720 A, 3300 V Tray Infineon FF2600UXTR33T2M1BPSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
Dual N
Maximum Continuous Drain Current
720 A
Maximum Drain Source Voltage
3300 V
Package Type
Tray
Series
XHP
Mounting Type
Screw Mount
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC
Alkuperämaa
Germany
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 6 900,00
€ 6 900,00 kpl (ilman ALV)
€ 8 659,50
€ 8 659,50 kpl (Sis ALV:n)
1
€ 6 900,00
€ 6 900,00 kpl (ilman ALV)
€ 8 659,50
€ 8 659,50 kpl (Sis ALV:n)
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
Dual N
Maximum Continuous Drain Current
720 A
Maximum Drain Source Voltage
3300 V
Package Type
Tray
Series
XHP
Mounting Type
Screw Mount
Channel Mode
Enhancement
Number of Elements per Chip
2
Transistor Material
SiC
Alkuperämaa
Germany
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.