Infineon CoolMOS™ C7 N-Channel MOSFET, 12 A, 650 V, 5-Pin ThinPAK 8 x 8 IPL65R195C7AUMA1

RS tilauskoodi: 222-4920PTuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPL65R195C7AUMA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolMOS™ C7

Package Type

ThinPAK 8 x 8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance

195 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 6,00

€ 1,20 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 7,53

€ 1,506 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Infineon CoolMOS™ C7 N-Channel MOSFET, 12 A, 650 V, 5-Pin ThinPAK 8 x 8 IPL65R195C7AUMA1
Valitse pakkaustyyppi

€ 6,00

€ 1,20 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 7,53

€ 1,506 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Infineon CoolMOS™ C7 N-Channel MOSFET, 12 A, 650 V, 5-Pin ThinPAK 8 x 8 IPL65R195C7AUMA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolMOS™ C7

Package Type

ThinPAK 8 x 8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

5

Maximum Drain Source Resistance

195 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja