Dual P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SOIC Infineon IRF9362PBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
26 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5mm
Width
4mm
Transistor Material
Si
Series
HEXFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.5mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Hintaa ei saatavilla
Tuotantopakkaus (Putki)
5
Hintaa ei saatavilla
Tuotantopakkaus (Putki)
5
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.3V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
26 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
2
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
5mm
Width
4mm
Transistor Material
Si
Series
HEXFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.5mm
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.