N-Channel MOSFET, 240 A, 60 V, 7-Pin D2PAK-7 Infineon IRFS7530TRL7PP

RS tilauskoodi: 820-8867Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IRFS7530TRL7PP
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

240 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

StrongIRFET

Package Type

D2PAK-7

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance

1.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.7V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

9.65mm

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

236 nC @ 10 V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

4.83mm

Tuotetiedot

StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon

Infineon's StrongIRFET family is optimized for low RDS(on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 6,30

€ 3,15 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 7,91

€ 3,953 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 240 A, 60 V, 7-Pin D2PAK-7 Infineon IRFS7530TRL7PP
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 2.

Tuotanto -

Pakkauskoko 2.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

2

Pakkauskoko 2
2€ 6,30
4€ 12,60
6€ 18,90
8€ 25,20
10€ 31,50
12€ 37,80
14€ 44,10
16€ 50,40
18€ 56,70
20€ 63,00
22€ 69,30
24€ 75,60
26€ 81,90
28€ 88,20
30€ 94,50

€ 6,30

€ 3,15 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 7,91

€ 3,953 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 240 A, 60 V, 7-Pin D2PAK-7 Infineon IRFS7530TRL7PP
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 2.

Tuotanto -

Pakkauskoko 2.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

2

Pakkauskoko 2
2€ 6,30
4€ 12,60
6€ 18,90
8€ 25,20
10€ 31,50
12€ 37,80
14€ 44,10
16€ 50,40
18€ 56,70
20€ 63,00
22€ 69,30
24€ 75,60
26€ 81,90
28€ 88,20
30€ 94,50

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

240 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

StrongIRFET

Package Type

D2PAK-7

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance

1.4 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.7V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

375 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Width

9.65mm

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Length

10.67mm

Typical Gate Charge @ Vgs

236 nC @ 10 V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

4.83mm

Tuotetiedot

StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon

Infineon's StrongIRFET family is optimized for low RDS(on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut