N-Channel MOSFET, 2.8 A, 500 V, 3-Pin TO-220F MagnaChip MDF3N50TH

RS tilauskoodi: 871-6661Tuotemerkki: MagnaChipValmistajan osanumero.: MDF3N50TH
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

MagnaChip

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.8 A

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Package Type

TO-220F

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

30.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.71mm

Typical Gate Charge @ Vgs

6.75 nC @ 10 V

Width

4.93mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.4V

Height

16.13mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

High Voltage (HV) MOSFET

High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,529

1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 0,664

1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 2.8 A, 500 V, 3-Pin TO-220F MagnaChip MDF3N50TH

€ 0,529

1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 0,664

1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 2.8 A, 500 V, 3-Pin TO-220F MagnaChip MDF3N50TH
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

MagnaChip

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.8 A

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Package Type

TO-220F

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

30.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

10.71mm

Typical Gate Charge @ Vgs

6.75 nC @ 10 V

Width

4.93mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.4V

Height

16.13mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

High Voltage (HV) MOSFET

High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.

MOSFET Transistors, MagnaChip

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja