P-Channel MOSFET, 100 A, 75 V, 3-Pin D2PAK onsemi SMP3003-DL-1E
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
11 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Maximum Power Dissipation
90 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
280 nC @ 10 V
Width
9.2mm
Transistor Material
Si
Height
4.5mm
Tuotetiedot
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 13,60
€ 6,80 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 17,07
€ 8,534 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
2
€ 13,60
€ 6,80 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 17,07
€ 8,534 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
2
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 2 - 6 | € 6,80 | € 13,60 |
| 8 - 38 | € 6,60 | € 13,20 |
| 40 - 198 | € 6,50 | € 13,00 |
| 200 - 398 | € 6,30 | € 12,60 |
| 400+ | € 6,10 | € 12,20 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ON SemiconductorChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
11 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.6V
Maximum Power Dissipation
90 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
280 nC @ 10 V
Width
9.2mm
Transistor Material
Si
Height
4.5mm
Tuotetiedot
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.