onsemi 2SK3557-6-TB-E N-Channel JFET, 15 V, Idss 10 to 20mA, 3-Pin CP

RS tilauskoodi: 163-2020Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: 2SK3557-6-TB-E
brand-logo
Näytä kaikki JFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

10 to 20mA

Maximum Drain Source Voltage

15 V

Maximum Drain Gate Voltage

-15V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

CP

Pin Count

3

Drain Gate On-Capacitance

10pF

Source Gate On-Capacitance

2.9pF

Dimensions

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Height

1.1mm

Width

1.5mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,166

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,208

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

onsemi 2SK3557-6-TB-E N-Channel JFET, 15 V, Idss 10 to 20mA, 3-Pin CP

€ 0,166

1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,208

1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

onsemi 2SK3557-6-TB-E N-Channel JFET, 15 V, Idss 10 to 20mA, 3-Pin CP
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

10 to 20mA

Maximum Drain Source Voltage

15 V

Maximum Drain Gate Voltage

-15V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

CP

Pin Count

3

Drain Gate On-Capacitance

10pF

Source Gate On-Capacitance

2.9pF

Dimensions

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Height

1.1mm

Width

1.5mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.9mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja