N-Channel MOSFET, 340 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 onsemi 2V7002WT1G

RS tilauskoodi: 790-5246Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: 2V7002WT1G
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

340 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-323

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

330 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.7 nC @ 4.5 V

Width

1.35mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.9mm

Tuotetiedot

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,395

kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)

€ 0,49

kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 340 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 onsemi 2V7002WT1G
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,395

kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)

€ 0,49

kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 340 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 onsemi 2V7002WT1G
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Nauha
50 - 50€ 0,395€ 19,75
100 - 950€ 0,163€ 8,15
1000 - 2950€ 0,116€ 5,80
3000+€ 0,09€ 4,50

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

340 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-323

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

2.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

330 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.7 nC @ 4.5 V

Width

1.35mm

Transistor Material

Si

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.9mm

Tuotetiedot

N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja