P-Channel MOSFET, 55 A, 35 V, 3-Pin DPAK onsemi FDD6637

RS tilauskoodi: 166-2644Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: FDD6637
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

55 A

Maximum Drain Source Voltage

35 V

Series

PowerTrench

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

19 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

57 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Width

6.22mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

45 nC @ 10 V

Height

2.39mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Automotive P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor is providing solutions that solve complex challenges in the automotive market With a thorough command of quality, safety, and reliability standards.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,783

1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,983

1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 55 A, 35 V, 3-Pin DPAK onsemi FDD6637

€ 0,783

1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 0,983

1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)

P-Channel MOSFET, 55 A, 35 V, 3-Pin DPAK onsemi FDD6637
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

55 A

Maximum Drain Source Voltage

35 V

Series

PowerTrench

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

19 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

57 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Width

6.22mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

45 nC @ 10 V

Height

2.39mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Automotive P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor is providing solutions that solve complex challenges in the automotive market With a thorough command of quality, safety, and reliability standards.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja