onsemi FJA13009TU NPN Transistor, 12 A, 400 V, 3-Pin TO-3P

RS tilauskoodi: 124-1316Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: FJA13009TU
brand-logo

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

12 A

Maximum Collector Emitter Voltage

400 V

Package Type

TO-3P

Mounting Type

Through Hole

Maximum Power Dissipation

130 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

700 V

Maximum Emitter Base Voltage

9 V

Pin Count

3

Number of Elements per Chip

1

Dimensions

15.8 x 5 x 20.1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Tuotetiedot

High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,30

1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 1,632

1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)

onsemi FJA13009TU NPN Transistor, 12 A, 400 V, 3-Pin TO-3P

€ 1,30

1 kpl (30 kpl/putki) (ilman ALV)

€ 1,632

1 kpl (30 kpl/putki) (Sis ALV:n)

onsemi FJA13009TU NPN Transistor, 12 A, 400 V, 3-Pin TO-3P
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Transistor Type

NPN

Maximum DC Collector Current

12 A

Maximum Collector Emitter Voltage

400 V

Package Type

TO-3P

Mounting Type

Through Hole

Maximum Power Dissipation

130 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

700 V

Maximum Emitter Base Voltage

9 V

Pin Count

3

Number of Elements per Chip

1

Dimensions

15.8 x 5 x 20.1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Tuotetiedot

High Voltage NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja