N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 19.5 A, 1200 V, 7-Pin D2PAK onsemi NTBG160N120SC1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
19.5 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
NTB
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance
225 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.3V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 3 680,00
€ 4,60 1 kpl (800 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 4 618,40
€ 5,773 1 kpl (800 kpl/kela) (Sis ALV:n)
800
€ 3 680,00
€ 4,60 1 kpl (800 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 4 618,40
€ 5,773 1 kpl (800 kpl/kela) (Sis ALV:n)
800
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
19.5 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
NTB
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance
225 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.3V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.