STMicroelectronics D44H11 NPN Transistor, 20 A, 80 V, 3-Pin TO-220
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
20 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
50 W
Minimum DC Current Gain
40
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
9.15 x 10.4 x 4.6mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Tuotetiedot
NPN Power Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 1,20
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 1,506
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
€ 1,20
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 1,506
1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
5
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 1,20 | € 6,00 |
| 10 - 95 | € 1,00 | € 5,00 |
| 100 - 245 | € 0,759 | € 3,80 |
| 250 - 495 | € 0,738 | € 3,69 |
| 500+ | € 0,645 | € 3,22 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
20 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
50 W
Minimum DC Current Gain
40
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
9.15 x 10.4 x 4.6mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Tuotetiedot
NPN Power Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.