SiC N-Channel MOSFET Module, 12 A, 1200 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCT10N120

RS tilauskoodi: 202-5476Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: SCT10N120
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Package Type

Hip247

Series

SCT

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.58 Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 10,10

€ 10,10 kpl (ilman ALV)

€ 12,68

€ 12,68 kpl (Sis ALV:n)

SiC N-Channel MOSFET Module, 12 A, 1200 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCT10N120
Valitse pakkaustyyppi

€ 10,10

€ 10,10 kpl (ilman ALV)

€ 12,68

€ 12,68 kpl (Sis ALV:n)

SiC N-Channel MOSFET Module, 12 A, 1200 V Depletion, 3-Pin HiP247 STMicroelectronics SCT10N120
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Package Type

Hip247

Series

SCT

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.58 Ω

Channel Mode

Depletion

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Transistor Material

SiC

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja