STMicroelectronics SiC N-Channel MOSFET, 116 A, 650 V, 7-Pin H2PAK-7 SCTH90N65G2V-7

RS tilauskoodi: 201-0869Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: SCTH90N65G2V-7
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

116 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

SCTH90

Package Type

H²PAK-7

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance

0.024 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 34,90

€ 34,90 kpl (ilman ALV)

€ 43,80

€ 43,80 kpl (Sis ALV:n)

STMicroelectronics SiC N-Channel MOSFET, 116 A, 650 V, 7-Pin H2PAK-7 SCTH90N65G2V-7
Valitse pakkaustyyppi

€ 34,90

€ 34,90 kpl (ilman ALV)

€ 43,80

€ 43,80 kpl (Sis ALV:n)

STMicroelectronics SiC N-Channel MOSFET, 116 A, 650 V, 7-Pin H2PAK-7 SCTH90N65G2V-7
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

116 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

SCTH90

Package Type

H²PAK-7

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

7

Maximum Drain Source Resistance

0.024 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja