STMicroelectronics STGWA75H65DFB2 IGBT, 115 A 650 V, 3-Pin TO-247
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current
115 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Number of Transistors
1
Maximum Power Dissipation
357 W
Package Type
TO-247
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 5,20
kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 6,526
kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
10
€ 5,20
kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 6,526
kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
10
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current
115 A
Maximum Collector Emitter Voltage
650 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Number of Transistors
1
Maximum Power Dissipation
357 W
Package Type
TO-247
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.