N-Channel MOSFET, 80 A, 60 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP140N6F7
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
STripFET F7
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
158 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
55 nC @ 10 V
Height
9.15mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 70,00
€ 1,40 1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 87,85
€ 1,757 1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
€ 70,00
€ 1,40 1 kpl (50 kpl/putki) (ilman ALV)
€ 87,85
€ 1,757 1 kpl (50 kpl/putki) (Sis ALV:n)
50
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
STripFET F7
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
158 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Transistor Material
Si
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
55 nC @ 10 V
Height
9.15mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.