IGBT module diode,MG75Q2YS50 100A 1200V

RS tilauskoodi: 247-8786Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: MG75Q2YS50(AC,G)
brand-logo
Näytä kaikki IGBT Modules tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Tuotetiedot

IGBT Discretes & Modules, Toshiba

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Hintaa ei saatavilla

IGBT module diode,MG75Q2YS50 100A 1200V

1

Pakkauskoko 1
1Hintaa ei saatavilla
2Hintaa ei saatavilla
3Hintaa ei saatavilla
4Hintaa ei saatavilla
5Hintaa ei saatavilla
6Hintaa ei saatavilla
7Hintaa ei saatavilla
8Hintaa ei saatavilla
9Hintaa ei saatavilla
10Hintaa ei saatavilla
11Hintaa ei saatavilla
12Hintaa ei saatavilla
13Hintaa ei saatavilla
14Hintaa ei saatavilla
15Hintaa ei saatavilla

Hintaa ei saatavilla

IGBT module diode,MG75Q2YS50 100A 1200V
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

1

Pakkauskoko 1
1Hintaa ei saatavilla
2Hintaa ei saatavilla
3Hintaa ei saatavilla
4Hintaa ei saatavilla
5Hintaa ei saatavilla
6Hintaa ei saatavilla
7Hintaa ei saatavilla
8Hintaa ei saatavilla
9Hintaa ei saatavilla
10Hintaa ei saatavilla
11Hintaa ei saatavilla
12Hintaa ei saatavilla
13Hintaa ei saatavilla
14Hintaa ei saatavilla
15Hintaa ei saatavilla

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Tuotetiedot

IGBT Discretes & Modules, Toshiba

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut