N-Channel MOSFET, 2 A, 40 V, 3-Pin SOT-23 Toshiba SSM3K339R
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
390 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Width
1.8mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.1 nC @ 4.2 V
Height
0.7mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Alkuperämaa
Thailand
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
€ 0,094
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,118
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 0,094
1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 0,118
1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
Osta irtotavarana
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,094 | € 282,00 |
| 6000 - 6000 | € 0,09 | € 270,00 |
| 9000+ | € 0,085 | € 255,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
390 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±12 V
Width
1.8mm
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.1 nC @ 4.2 V
Height
0.7mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Alkuperämaa
Thailand
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.