Silicon N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Toshiba T2N7002AK,LM(T

RS tilauskoodi: 236-3585Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: T2N7002AK,LM(T
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

200 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3.2e+006 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

2.1V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,039

1 kpl (250 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,049

1 kpl (250 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Silicon N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Toshiba T2N7002AK,LM(T
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,039

1 kpl (250 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,049

1 kpl (250 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Silicon N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Toshiba T2N7002AK,LM(T
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
250 - 250€ 0,039€ 9,75
500 - 750€ 0,039€ 9,75
1000 - 1250€ 0,035€ 8,75
1500 - 2750€ 0,035€ 8,75
3000+€ 0,032€ 8,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

200 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

3.2e+006 Ω

Maximum Gate Threshold Voltage

2.1V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja