N-Channel MOSFET, 9.7 A, 600 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK10A60W,S4VX(M

RS tilauskoodi: 125-0532Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: TK10A60W,S4VX(M
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

9.7 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

DTMOSIV

Package Type

TO-220SIS

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

380 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.7V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.7V

Maximum Power Dissipation

30 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

4.5mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

20 nC @ 10 V

Height

15mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,20

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,506

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 9.7 A, 600 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK10A60W,S4VX(M

5

Pakkauskoko 5
5€ 6,00
10€ 12,00
15€ 18,00
20€ 24,00
25€ 19,75
30€ 23,70
35€ 27,65
40€ 31,60
45€ 35,55
50€ 38,45
55€ 42,30
60€ 46,14
65€ 49,98
70€ 53,83
75€ 57,68

€ 1,20

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,506

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 9.7 A, 600 V, 3-Pin TO-220SIS Toshiba TK10A60W,S4VX(M
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

5

Pakkauskoko 5
5€ 6,00
10€ 12,00
15€ 18,00
20€ 24,00
25€ 19,75
30€ 23,70
35€ 27,65
40€ 31,60
45€ 35,55
50€ 38,45
55€ 42,30
60€ 46,14
65€ 49,98
70€ 53,83
75€ 57,68

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
5 - 20€ 1,20€ 6,00
25 - 45€ 0,79€ 3,95
50 - 120€ 0,769€ 3,84
125 - 245€ 0,751€ 3,76
250+€ 0,73€ 3,65

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

9.7 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

DTMOSIV

Package Type

TO-220SIS

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

380 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.7V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.7V

Maximum Power Dissipation

30 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

4.5mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

10mm

Typical Gate Charge @ Vgs

20 nC @ 10 V

Height

15mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja