N-Channel MOSFET, 15.8 A, 600 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK16E60W5,S1VX(S

RS tilauskoodi: 125-0541Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: TK16E60W5,S1VX(S
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

15.8 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

DTMOSIV

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

230 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

130 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

4.45mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

43 nC @ 10 V

Height

15.1mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 1,40

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,757

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 15.8 A, 600 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK16E60W5,S1VX(S

5

Pakkauskoko 5
5€ 7,00
10€ 14,00
15€ 21,00
20€ 28,00
25€ 21,08
30€ 25,29
35€ 29,50
40€ 33,72
45€ 37,94
50€ 38,60
55€ 42,46
60€ 46,32
65€ 50,18
70€ 54,04
75€ 57,90

€ 1,40

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,757

1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 15.8 A, 600 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK16E60W5,S1VX(S
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

5

Pakkauskoko 5
5€ 7,00
10€ 14,00
15€ 21,00
20€ 28,00
25€ 21,08
30€ 25,29
35€ 29,50
40€ 33,72
45€ 37,94
50€ 38,60
55€ 42,46
60€ 46,32
65€ 50,18
70€ 54,04
75€ 57,90

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
5 - 20€ 1,40€ 7,00
25 - 45€ 0,843€ 4,22
50+€ 0,772€ 3,86

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

15.8 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Series

DTMOSIV

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

230 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3V

Maximum Power Dissipation

130 W

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

4.45mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

43 nC @ 10 V

Height

15.1mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja