N-Channel MOSFET, 15 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN Toshiba TK20J60U(F)

RS tilauskoodi: 695-5559Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: TK20J60U(F)
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

15 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

TO-3PN

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

190 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

190 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

27 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

40.5mm

Width

4.8mm

Transistor Material

Si

Series

TK

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

19mm

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 4,80

kpl (ilman ALV)

€ 6,02

kpl (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 15 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN Toshiba TK20J60U(F)

€ 4,80

kpl (ilman ALV)

€ 6,02

kpl (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 15 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN Toshiba TK20J60U(F)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Osta irtotavarana

MääräYksikköhinta
1 - 9€ 4,80
10 - 19€ 3,55
20+€ 3,40

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

15 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Package Type

TO-3PN

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

190 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

5V

Maximum Power Dissipation

190 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Typical Gate Charge @ Vgs

27 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

40.5mm

Width

4.8mm

Transistor Material

Si

Series

TK

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

19mm

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja