N-Channel MOSFET, 112 A, 120 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK56E12N1,S1X(S

RS tilauskoodi: 125-0578Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: TK56E12N1,S1X(S
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

112 A

Maximum Drain Source Voltage

120 V

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

7 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

168 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.45mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

69 nC @ 10 V

Height

15.1mm

Series

U-MOSVIII-H

Forward Diode Voltage

1.2V

Tuotetiedot

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,825

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,023

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 112 A, 120 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK56E12N1,S1X(S

10

Pakkauskoko 10
10€ 8,25
20€ 16,50
30€ 24,75
40€ 33,00
50€ 37,10
60€ 44,52
70€ 51,94
80€ 59,36
90€ 66,78
100€ 69,10
110€ 76,01
120€ 82,92
130€ 89,83
140€ 96,74
150€ 103,65

€ 0,825

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,023

1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 112 A, 120 V, 3-Pin TO-220 Toshiba TK56E12N1,S1X(S
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

10

Pakkauskoko 10
10€ 8,25
20€ 16,50
30€ 24,75
40€ 33,00
50€ 37,10
60€ 44,52
70€ 51,94
80€ 59,36
90€ 66,78
100€ 69,10
110€ 76,01
120€ 82,92
130€ 89,83
140€ 96,74
150€ 103,65

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 40€ 0,825€ 8,25
50 - 90€ 0,742€ 7,42
100+€ 0,691€ 6,91

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

112 A

Maximum Drain Source Voltage

120 V

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

7 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

168 W

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.45mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

10.16mm

Typical Gate Charge @ Vgs

69 nC @ 10 V

Height

15.1mm

Series

U-MOSVIII-H

Forward Diode Voltage

1.2V

Tuotetiedot

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja