N-Channel MOSFET, 6.8 A, 650 V, 3-Pin DPAK Toshiba TK7P65W,RQ(S

RS tilauskoodi: 133-2801Tuotemerkki: ToshibaValmistajan osanumero.: TK7P65W,RQ(S
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

6.8 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

DTMOSIV

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

800 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

60 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

6.1mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

6.6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Height

2.3mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 7,67

€ 0,767 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 9,63

€ 0,963 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 6.8 A, 650 V, 3-Pin DPAK Toshiba TK7P65W,RQ(S

10

Pakkauskoko 10
10€ 7,67
20€ 15,34
30€ 23,01
40€ 30,68
50€ 38,35
60€ 46,02
70€ 53,69
80€ 61,36
90€ 69,03
100€ 76,70
110€ 84,37
120€ 92,04
130€ 99,71
140€ 107,38
150€ 115,05

€ 7,67

€ 0,767 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 9,63

€ 0,963 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

N-Channel MOSFET, 6.8 A, 650 V, 3-Pin DPAK Toshiba TK7P65W,RQ(S
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

10

Pakkauskoko 10
10€ 7,67
20€ 15,34
30€ 23,01
40€ 30,68
50€ 38,35
60€ 46,02
70€ 53,69
80€ 61,36
90€ 69,03
100€ 76,70
110€ 84,37
120€ 92,04
130€ 99,71
140€ 107,38
150€ 115,05

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Toshiba

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

6.8 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

DTMOSIV

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

800 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Maximum Power Dissipation

60 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Width

6.1mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

6.6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

15 nC @ 10 V

Height

2.3mm

Forward Diode Voltage

1.7V

Alkuperämaa

Japan

Tuotetiedot

MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja