Vishay Siliconix TrenchFET P-Channel MOSFET, 30 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJ415EP-T1_GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Series
TrenchFET
Package Type
PowerPAK SO-8L
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
63 nC @ 10 V
Width
5mm
Transistor Material
Si
Automotive Standard
AEC-Q101
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.07mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 1 152,00
€ 0,384 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1 445,76
€ 0,482 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
3000
€ 1 152,00
€ 0,384 1 kpl (3000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1 445,76
€ 0,482 1 kpl (3000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
3000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Vishay SiliconixChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Series
TrenchFET
Package Type
PowerPAK SO-8L
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Maximum Drain Source Resistance
20 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
5.99mm
Typical Gate Charge @ Vgs
63 nC @ 10 V
Width
5mm
Transistor Material
Si
Automotive Standard
AEC-Q101
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.07mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.