Vishay N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V, 3-Pin D2PAK IRF640SPBF

RS tilauskoodi: 541-2464PTuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: IRF640SPBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

18 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

180 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

130 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

70 nC @ 10 V

Width

9.65mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.67mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

4.83mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

€ 19,00

€ 1,90 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 23,84

€ 2,38 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Vishay N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V, 3-Pin D2PAK IRF640SPBF
Valitse pakkaustyyppi

€ 19,00

€ 1,90 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 23,84

€ 2,38 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Vishay N-Channel MOSFET, 18 A, 200 V, 3-Pin D2PAK IRF640SPBF

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

MääräYksikköhinta
10 - 49€ 1,90
50 - 99€ 1,75
100 - 249€ 1,65
250+€ 1,35

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

18 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

180 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

130 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

70 nC @ 10 V

Width

9.65mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.67mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

4.83mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja