Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1922EDH-T1-GE3

RS tilauskoodi: 812-3091Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SI1922EDH-T1-GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.3 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-363

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

263 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

1.25 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.6 nC @ 8 V

Width

1.35mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,356

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,447

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1922EDH-T1-GE3
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 50.

Tuotanto -

Pakkauskoko 50.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

50

Pakkauskoko 50
50€ 17,80
100€ 35,60
150€ 53,40
200€ 71,20
250€ 89,00
300€ 106,80
350€ 124,60
400€ 142,40
450€ 160,20
500€ 131,50
550€ 144,65
600€ 157,80
650€ 170,95
700€ 184,10
750€ 197,25

€ 0,356

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 0,447

1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1922EDH-T1-GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 50.

Tuotanto -

Pakkauskoko 50.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

50

Pakkauskoko 50
50€ 17,80
100€ 35,60
150€ 53,40
200€ 71,20
250€ 89,00
300€ 106,80
350€ 124,60
400€ 142,40
450€ 160,20
500€ 131,50
550€ 144,65
600€ 157,80
650€ 170,95
700€ 184,10
750€ 197,25

Osta irtotavarana

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
50 - 450€ 0,356€ 17,80
500 - 1200€ 0,263€ 13,15
1250 - 2450€ 0,221€ 11,05
2500 - 4950€ 0,196€ 9,80
5000+€ 0,179€ 8,95

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.3 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-363

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

263 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

0.4V

Maximum Power Dissipation

1.25 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, +8 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

2.2mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.6 nC @ 8 V

Width

1.35mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut