Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 3.5 A, 8 V, 4-Pin MICRO FOOT SI8802DB-T2-E1

RS tilauskoodi: 180-7724Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SI8802DB-T2-E1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.5 A

Maximum Drain Source Voltage

8 V

Series

TrenchFET

Package Type

MICRO FOOT

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

0.054 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.7V

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

€ 6,38

€ 0,255 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 8,01

€ 0,32 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 3.5 A, 8 V, 4-Pin MICRO FOOT SI8802DB-T2-E1
Valitse pakkaustyyppi

€ 6,38

€ 0,255 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 8,01

€ 0,32 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 3.5 A, 8 V, 4-Pin MICRO FOOT SI8802DB-T2-E1

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.5 A

Maximum Drain Source Voltage

8 V

Series

TrenchFET

Package Type

MICRO FOOT

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

0.054 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.7V

Number of Elements per Chip

1

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja